PTN Nano Quang điện tử - Danh mục cán bộ
 TS. Nguyễn Duy Hùng
Địa chỉ làm việc:Phòng 507, nhà B1, Trường ĐHBK Hà Nội
E-mail:hung.nguyenduy (at) hust.edu.vn
Điện thoại:+ 84 43 6230 435
Fax:+ 84 43 6230 293
Các môn giảng dạy:

- Cơ lượng tử
- Điện động lực học
- Cơ lý thuyết
- Vật lý quang học và quang phổ học
- Vật lý bán dẫn 


Hướng nghiên cứu:

- Nghiên cứu tính chất quang lượng tử của các hệ thấp chiều.
- Nghiên cứu các tính chất quang điện của các vật liệu có kích thước na nô.
- Nghiên cứu và chế tạo LED ứng dụng trong chiếu sáng.
- Nghiên cứu và tổng hợp bột huỳnh quang ứng dụng chế tạo WLED.

Đào tạo

Kinh nghiệm

Công trình

  1. Nguyen Thi Lan, Do Thi Chi, Ngo Xuan Dinh, Nguyen Duy Hung, Hoang Lan, Pham Anh Tuan, Le Hong Thang, Nguyen Ngoc Trung, Nguyen Quang Hoa, Tran Quang Huy, Nguyen Van Quy, Thanh-Tung Duong, Vu Ngoc Phan, Anh-Tuan Le, Photochemical decoration of silver nanoparticles on graphene oxide nanosheets and their optical characterization, Journal of Alloys and Compounds, 2014, 615, 843–848 (DOI: 10.1016/j.jallcom.2014.07.042).
  2. T.T.H. Tam, N.V. Du, N.D.T. Kien, C.X. Thang, N.D. Cuong, P.T. Huy>, N.D. Chien, D.H. Nguyen*, Co-precipitation synthesis and optical properties of green-emitting Ba2MgSi2O7:Eu2+ phosphor , Journal of Luminescence, 2014, 147, 358–362 (DOI: 10.1016/j.jlumin.2013.11.066).
  3. D. H. Nguyen, J. Park, Y. K. Noh, M. D. Kim, D. Lee, J. E. Oh, “Strong photoluminescence at 1.53 micrometer from GaSb/AlGaSb multiple quantum wells grown on Si substrate” Appl. Phys. Lett. 95, 061910 (2009).
  4. D. H. Nguyen, J. Park, Y. D. Jang, D. Lee, S. H. Pyun, W. G. Jeong, and J. W. Jang, “An efficient in-plane energy level shift of InAs/InGaAsP/InP quantum dots by selective area growth” J. Appl. Phys. 107, 043522 (2010).
  5. D. M. Shin , J. Park, D. H. Nguyen, Kiju Yee , Donghan Lee , Y. H. Choi , S. K. Jung , M. S. Noh, Y. D. Jang, “A critical factor affecting on the performance of blue-violet InGaN multi-quantum well laser diodes: non-radiative centers” Appl. Phys. Lett 97, 071910 (2010).
  6. D. H. Nguyen, J. Park, Y. K. Noh, M. D. Kim, D. Lee, J. E. Oh “High quality GaSb/AlGaSb multiple quantum wells grown on Si substrate using quantum dot dislocation blocking layers” The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, July, 25 – 30, 2010, Coex, Seoul, Korea
  7. D. H. Nguyen, J. Park, Y. K. Noh, M. D. Kim, D. Lee, J. E. Oh “Efficient photoluminescence from GaSb/AlGaSb multiple quantum wells grown on Si substrate” The OPTO Symposium on Optoelectronic Materials, Devices and Applications, January, 23 - 28, 2010, San Francisco, California, American
  8. D. M. Shin, D. H. Nguyen, J. Park, C. S. Kim, K. J. Yee, D. Lee, Y. H. Choi, S. K. Jung, M. S. Noh, “Spectroscopic Determination of Defect Contribution in InGaN/GaN Optical Devices” The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, October, 18 - 23, 2010, Jeju, Korea.
  9. S. H. Pyun, D. H. Nguyen, Y. Jang, D. Lee, W. G. Jeong, J. W. Jang “Photoluminescence and Carrier Dynamic in InAs/InP Quantum Dots Grown by Selective Area Growth” The 23rd Annual Meeting of the IEEE photonics Society, October, 4 - 8, 2009, Denver, Colorado, USA.
  10. Duy Hung Nguyen, Namje Kim, Donghan Lee, Seth R. Bank, and James S. Harris, “Effects of nitrogen in GaAs barrier in GaInNAsSb quantum wells” The 14th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications, August 26 - 29, 2008, Jeju, Korea.
  11. D. H. Nguyen, D. G Ko, J. H. Yoon, S. H. Pyun, W. G. Jeong, J. Park, D. Lee, and J. W Jang “In-plane energy level shift over 100 meV in InAs/InGaAsP quantum dots by selective area growth” The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots, May 11 – 16, 2008, Gyeongju, Korea.
  12. S. H. Pyun, D. H. Nguyen, D. G Ko, J. H. Yoon, W. G. Jeong , J. Park, D. Lee, and J. W Jang “Enhancement of structural and optical properties of 1.3 μm InGaAs/GaAs quantum dots by using high growth temperature SL”, The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots, May 11 – 16, 2008, Gyeongju, Korea.
  13. S. H. Pyun, D. H. Nguyen, D. G Ko, J. H. Yoon, W. G. Jeong , J. Park, D. Lee, and J. W Jang “Long-wavelength emission at 1.5 μm from InGaAs / GaAs quantum dots”, The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots, May 11 – 16, 2008, Gyeongju, Korea.
  14. S. H. Pyun, D. H. Nguyen, D. G Ko, J. H. Yoon, W. G. Jeong, J. Park, D. Lee, and J. W Jang “Enhancement of luminescence properties of InGaAs/GaAs quantum dots by control of AsH3 overpressure during growth interruption” The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots, May 11 – 16, 2008, Gyeongju, Korea.

Sách

không có

HV Cao học

không có

NCS

không có

Thông tin khác

Đang cần NCS/Cao học làm về đề tài: Nghiên cứu và chế tạo ZnO cấu trúc một chiều ứng dụng trong chế tạo LED